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为本人所绘该题的电气线路控制原理图，大家看是不是非常繁杂，要想在一个小时内完成任务恐怕绝非易事。是将原封不动的转换为三菱FX2NPLC基本指令的梯形图，看起来也是非常繁琐的样子。系本人采用PLC内部计数器和触点比较指令绘制的梯形图，是不是较有所简化。原创稿件版权所有。至于则是本人使用三菱plc交替输出指令，编写的梯形图，是不是极为简单。诚然现代PLC所能实现的功能要远远高于本题所要求，在此仅以该 为例告诉广大同行，在熟悉传统电气线路的基础上，还应紧跟电工技术发展趋势，不断学习进步。
废旧电缆利用方法
1.手工剥皮法：该法采用人工进行剥皮，效率低、成本高，而且工人的操作环境较差；
2.焚烧法：焚烧法是一种传统的方法，使废线缆的塑料皮燃烧，然后其中的铜，但产生的烟气污染极为严重，同时 ，在焚烧过程中铜线的表面严重氧化，降低了金属率，该法已经被各国严格禁止；
3.机械剥皮法：采用线缆剥皮机进行，该法仍需要人工操作，属半机械化，劳动强度大，效率低，而且只适用粗径线缆；
4.化学法：化学法废线缆技术是在上个世纪90年代提出的，一些 曾进行研究，我国在“八五”期间也进行过研究。该法有一个的缺点是产生的废液无法，对环境有较大的影响，故很少采用；
5.冷冻法：该法也是上个世纪九十年代提出的，采用液氮制冷剂，使废线缆在极低的温度下变脆，然后经过破碎和震动，使塑料皮与铜线段分离，我国在“八五”期间也曾经立项研究，但此法的缺点是成本高，难以进行工业化的生产
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就会影响整根电缆质量。质量缺陷越是发生在内层，而且没有及时发现终止出产。那么造成的损失就越大。由于电线电缆的出产不同于式的产品，可以拆重装及更换另件；电线电缆的任一部件或工艺过程的质量题目，对这根电缆几乎是无法挽回和弥补的。事后的都是十分消极的，不是锯短就是降级，要么报废整条电缆。它无法拆重装。电线电缆的质量治理，必需贯穿整个出产过程。质量治理分要对整个出产过程巡回检查、操纵人自检、上下工序互检，这是保证产品质量，进步企业经济效益的重要保证和手段。2．出产工艺门类多、物料流量大电线电缆涉及的工艺门类广泛，从有色金属的熔炼和压力，到塑料、橡胶、油漆等化工技术；纤维材料的绕包、编织等的纺织技术。
另一根接线排叫“零排”，从这里引出去的，就是零线。不过零排的进线可不是入户线，入户线中的零线，必须接入主关，再从主关的出线接到零排上——当主关断后，零排处于断路状态。零排只为1P断路器零线，其它断路器所控制回路的零线，都从自己的断路器下口直接出线。具体内容我们下文再讲。为什么说零线可有可无呢？因为如果各个支路断路器中没有1P断路器，那这根零排我们就不需要了。零排和地排在外型上的区别为：零排是直的，连接时在零排和配电箱底板之间要加两个绝缘端子；地排是U型的，直接固定在配电箱底板上。在电路图中，集成电路一般仅以一个矩形或三角形图框表示，并不展示内部细节，在这种情况下，我们可以通过识别集成电路的引脚，来初步看懂电路图。识别集成电路典型引脚集成电路功能不同，决定了它们的引脚也不同。但是电源引脚、接地引脚、信号输入和输出引脚则是大多数集成电路所必须的。电源引脚：其作用是为集成电路引入直流工作电源，分为单电源供电和双电源供电两种类型。首先，可以通过字符识别。单电源供电采用单一的正直流电压作为工作电压，集成电路具有一个电源引脚，电路图中往往在引脚旁标注“VCC”字符。3专用保护线PE不许断线，也不许进入漏电关。4干线上使用漏电保护器，工作零线不得有重复接地，而PE线有重复接地，但是不经过漏电保护器，所以TN-S系统供电干线上也可以漏电保护器。5TN-S方式供电系统安全可靠，适用于工业与民用建筑等低压供电系统。在建筑工程工工前的“三通一平”（电通、水通、路通和地平）——必须采用TN-S方式供电系统。2005临时用电安全技术规范要求TN-S接零保护系统必须配电室或总配电箱处重复接地，首未端重复接地，重复接地电阻值小于10Ω。三相异步电动机空载运行过程中，去测量电动机电流时，总会产生10%左右的电流差，一般有以下几个方面的原因:三相电源电压不平衡引起，但此时三相电压相差较小(一般小于0.5%)电动机磁路不均匀或三相绕组匝数不相等。如何判断空载运行电流差是电源电压引起的还是电动机自身引起的？1.通过调换三相电源线与电动机出线端的连接顺序，观察空载电流的变化。如果电动机电流大小的顺序随电源相序的变化而变动，也就是总是某一相电源的C相电流，则三相空载电流差是由三相电源电压引起的。场效应管通常分为两类：JFET和MOSFET。这两类场效应管都是压控型的器件。场效应管有三个电极，分别为：栅极漏极D和源极S。目前MOSFET应用广泛，JFET相对较少。MOSFET可以分为NMOS和PMOS，下图是PMOS的结构图、NMOS和MOSFET的电路符号图。PMOS的结构是这样的：在N型硅衬底上了两个P型半导体的P+区，这两个区分别叫源极S和漏极D，在N型半导体的绝缘层上引出栅极G。